efield (efield) wrote,
efield
efield

Технологии/Тенденции: Память из нанонитей бьет рекорды по скорости записи_


Память из нанонитей бьет рекорды по скорости записиCNews.ru:
Ученые из университета Лунда, Швеция, разработали новый элемент памяти, сообщает Nanotechweb. Он представляет собой ряд «островков», соединенных между собой нанострунами, которые содержат девять квантовых точек арсенида индия (InAs), разделенных тонким слоем фосфида индия (InP).

Диаметр нанонитей – 40-50 нанометров. Благодаря этому квантовые точки InAs размерами 17 нанометров, разделенные 3-4 нанометровым InP барьером, удалось поместить внутри нитей. На их концах расположились 200-нанометровые отрезки InAs, соединенные с 70-нанометровыми участками InP барьеров. Эти наноструктуры, по сути дела, являются простым нанотранзистором.

Устройство работает не только при комнатных температурах, но и при достаточно низких -120оC. Время, необходимое на один цикл записи - 15 наносекунд.

По словам шведских ученых, новая нанопамять может работать в 100 раз быстрее современной флэш-памяти.

http://rnd.cnews.ru/news/line/index.shtml?2006/12/06/227195
Tags: наука и технологии
Subscribe
  • Post a new comment

    Error

    default userpic

    Your reply will be screened

    Your IP address will be recorded 

    When you submit the form an invisible reCAPTCHA check will be performed.
    You must follow the Privacy Policy and Google Terms of use.
  • 0 comments