eField: Цифровые поля электронного серфинга.

Американские исследователи создали самый быстрый в мире транзистор, который может стать основой электронных чипов нового поколения. Ученые Милтон Фенг (Milton Feng) и Вэлид Хейфз (Walid Hafez) из университета в Иллинойсе (University of Illinois), разработали сверхбыстрый транзистор, путем наложения различных полупроводниковых слоев, в структуре микроскопического устройства. Длина полупроводника составляет одну миллионную метра, а максимальная скорость работы - 604 ГГц - это означает, что транзистор способен проводить 604 млрд. операций в секунду. Исследователи разработали особый тип компонента, известный как биполярный переходной транзистор, который состоит из трех расположенных друг на друге слоев. ( Collapse )

http://www.3dnews.ru/news/2005-04-13-1/


World's fastest transistor operates at blinding speed_
http://www.newscientist.com/article.ns?id=dn7253

Ученые из центра исследования света (Lighting Research Center (LRC) политехнического института Ренселлар (Rensselaer Polytechnic Institute) разработали метод под названием "SPE", благодаря которому заставили белый светоизлучающий диод LED (light-emitting diode) светиться еще ярче, при том же напряжении питания. Технология основана на новом методе концентрации разрозненных фотонов (scattered photon extraction (SPE). ( Collapse ) http://www.3dnews.ru/news/2005-04-13-17/ Breakthrough Technology Accelerates Solid-State Lighting_ http://www.physorg.com/news3673.html